特許

J-GLOBAL ID：201503012784719881

欠陥診断装置

発明者： 杉山 睦 ,  片山 昇 ,  坂倉 秀徳 ,  松本 俊哉
出願人/特許権者： 学校法人東京理科大学
代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-064326
公開番号（公開出願番号）：特開2015-188273
出願日： 2014年03月26日
公開日（公表日）： 2015年10月29日
要約：

【課題】太陽電池等の半導体素子を備えた電子装置の欠陥を効率良く検出する。【解決手段】半導体素子を備えた電子装置の出力電圧を目標電圧に制御するデューティ比を取得する取得部と、前記デューティ比を基準として、複数の異なる周波数の正弦波で前記出力電圧を変化させて統合した統合デューティ比を演算する第1演算部と、前記統合デューティ比を複数のスイッチのオンオフによって制御したときの前記電子装置の出力電圧及び出力電流に基づいて、前記目標電圧に対する周波数毎のインピーダンスを演算する第2演算部と、前記周波数毎のインピーダンスに基づき、前記電子装置の周波数特性を示す特性情報を生成し、生成した特性情報と、予め生成された特性情報とを照合して、前記半導体素子又は前記電子装置の欠陥の有無を判定する判定部と、を含む欠陥診断装置。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体素子を備えた電子装置の出力電圧を目標電圧に制御するデューティ比を取得する取得部と、 前記デューティ比を基準として、複数の異なる周波数の正弦波で前記出力電圧を変化させて統合した統合デューティ比を演算する第1演算部と、 前記統合デューティ比を複数のスイッチのオンオフによって制御したときの前記電子装置の出力電圧及び出力電流に基づいて、前記目標電圧に対する周波数毎のインピーダンスを演算する第2演算部と、 前記周波数毎のインピーダンスに基づき、前記電子装置の周波数特性を示す特性情報を生成し、生成した特性情報と、予め生成された特性情報とを照合して、前記半導体素子又は前記電子装置の欠陥の有無を判定する判定部と、 を含む欠陥診断装置。

IPC (2件)：

H02S 50/10 ,  G01R 31/26

FI (2件)：

H02S50/10 ,  G01R31/26 F

Fターム (7件)：

2G003AA06 ,  2G003AB06 ,  2G003AE02 ,  2G003AG18 ,  2G003AH02 ,  2G003AH10 ,  5F151KA08