特許
J-GLOBAL ID：201503013066701148
超伝導膜の使用方法および超伝導膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
池田 治幸
, 池田 光治郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-076562
公開番号（公開出願番号）：特開2015-198057
出願日： 2014年04月02日
公開日（公表日）： 2015年11月09日
要約：
【課題】磁束密度Bの増加に伴ってその磁場中における超伝導膜の臨界電流密度Jの低下を抑制できる使用方法を提供する。【解決手段】本実施例の超伝導膜10の使用方法によれば、超伝導体層14に電流を流すに際して、その超伝導体層14のc軸に直交する面内において磁束Φの方向(磁界の方向)と電流Iの方向とを平行とすることにより、磁束密度Bの増加開始とともに臨界電流密度Jが一旦増加した後で緩やかに低下する特性が得られる。このため、実用に際して磁束密度Bが増加しても、超伝導体層の電流許容値が急激に低下せず、一旦は増加してその後に緩やかに低下するので、臨界電流密度Jの低下が抑制される。これにより、従来よりも相対的に高い臨界電流密度が得られ、その実用範囲が拡大される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板から該基板の一面に垂直なc軸方向へエピタキシャル成長させられた超伝導体層の中に人工ピンを有する超伝導膜の使用方法であって、
前記超伝導体層に電流を流すに際して、該超伝導体層の前記c軸に直交する面内において磁束の方向と電流の方向とを互いに平行とすることを特徴とする超伝導膜の使用方法。
IPC (4件)：
H01B 12/06
, H01L 39/24
, C01G 1/00
, C01G 3/00
H01B12/06
, H01L39/24 B
, C01G1/00 S
, C01G3/00
4G047JA05
, 4G047JC02
, 4G047KE02
, 4G047KG01
, 4G047LB01
, 4M113AD35
, 4M113AD36
, 4M113AD37
, 4M113BA04
, 4M113CA34
, 5G321AA04
, 5G321BA01
, 5G321BA03
, 5G321CA13
, 5G321CA24
, 5G321DB37
