特許
J-GLOBAL ID：201503013335729682

事前に安定させたプラズマによるプロセスのためのスパッタリング方法

発明者：
ブッシュ, ジョン ダグラス

ブッシュ, ジョン ダグラス について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-514366
公開番号（公開出願番号）：特表2015-519477
出願日： 2012年06月01日
公開日（公表日）： 2015年07月09日
要約：
基板上に材料の層を堆積させる方法が記載される。この方法は、基板がプラズマに曝露されていない間に材料堆積のためにスパッタターゲットのプラズマを着火することと、少なくとも基板がプラズマに曝露されて基板上に材料が堆積するまでプラズマを維持することと、プラズマおよび基板の少なくとも1つを動かすことによって基板をプラズマに曝露することと、基板上に材料を堆積させることであって、基板が静的堆積プロセスのために位置決めされる、堆積させることとを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に材料の層を堆積させる方法であって、 基板がプラズマに曝露されないように第1の磁石アセンブリ位置で材料堆積のためにスパッタターゲットのプラズマを着火することと、 プラズマを維持しながら磁石アセンブリを第2の磁石アセンブリ位置に動かすことと を含み、 前記第2の磁石アセンブリ位置において、基板上に材料を堆積する、方法。
IPC (3件)：
C23C 14/35 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/40
FI (3件)：
C23C14/35 ,  C23C14/34 B ,  C23C14/40
Fターム (12件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA44 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC13 ,  4K029DC16 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029DC45 ,  4K029KA01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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