特許

J-GLOBAL ID：201503013751541861

Ga2O3系半導体素子

発明者： 佐々木 公平 ,  東脇 正高
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所 ,  独立行政法人情報通信研究機構
代理人 (4件)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012072897
公開番号（公開出願番号）：WO2013-035842
出願日： 2012年09月07日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
要約：

高品質のGa2O3系半導体素子を提供する。 高抵抗β-Ga2O3基板2上に直接または他の層を介して形成されたn型β-Ga2O3単結晶膜3と、n型β-Ga2O3単結晶膜3上に形成されたソース電極22及びドレイン電極23と、ソース22電極とドレイン電極23との間のn型β-Ga2O3単結晶膜3上に形成されたゲート電極21と、を含むGa2O3系MISFET20を提供する。

請求項（抜粋）：

β-Ga2O3基板上に直接または他の層を介して形成されたβ-Ga2O3単結晶膜と、 前記β-Ga2O3単結晶膜上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記β-Ga2O3単結晶膜上に形成されたゲート電極と、 を含むGa2O3系半導体素子。

IPC (8件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/24 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/363

FI (8件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 615 ,  H01L27/12 S ,  H01L27/12 E ,  H01L29/80 B ,  H01L21/363

Fターム (47件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GL01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL08 ,  5F103RR06 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110GG54 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12