特許

J-GLOBAL ID：201503013859629676

n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法

発明者： 町井 洋一 ,  吉田 誠人 ,  野尻 剛 ,  岩室 光則 ,  織田 明博 ,  足立 修一郎 ,  佐藤 鉄也
出願人/特許権者： 日立化成株式会社
代理人 (3件)： 膝舘 祥治 ,  小林 美貴 ,  醍醐 美知子
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012068122
公開番号（公開出願番号）：WO2013-011986
出願日： 2012年07月17日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：

n型拡散層形成組成物は、P2O5、SiO2及びCaOを含むガラス粉末と、分散媒とを含有する。該n型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、n型拡散層、及びn型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。

請求項（抜粋）：

P2O5、SiO2及びCaOを含むガラス粉末と、分散媒と、を含有するn型拡散層形成組成物。

IPC (2件)：

H01L 21/223 ,  H01L 31/06

FI (2件)：

H01L21/223 Y ,  H01L31/04 A

Fターム (9件)：

5F151AA16 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151DA03 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03