特許

J-GLOBAL ID：201503014030646309

半導体発光装置およびその製造方法

発明者： 丸谷 幸利
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (4件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  言上 惠一 ,  山尾 憲人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-111448
公開番号（公開出願番号）：特開2015-226017
出願日： 2014年05月29日
公開日（公表日）： 2015年12月14日
要約：

【課題】放熱性および配列性を向上できる半導体発光装置を提供する。【解決手段】外部リード50は、キャップ40の貫通孔41bに取り付けられ、外部リード50の一端は、キャップ40の内側で内部リード60と電気的に接続され、外部リード50の他端は、キャップ40の外側に配置される。外部リード50は、取付面30aの法線方向からみて、基体30の外形線30cよりも内側の領域Z1に位置している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

取付面と前記取付面の反対側に位置する放熱面とを有する基体と、 前記基体の前記取付面側に取り付けられる半導体発光素子と、 前記基体の前記取付面側に取り付けられ、前記半導体発光素子と電気的に接続される内部リードと、 前記半導体発光素子および前記内部リードを覆うように前記基体の前記取付面に取り付けられ、貫通孔が設けられたキャップと、 前記キャップの前記貫通孔に取り付けられ、一端が前記キャップの内側で前記内部リードと電気的に接続され、他端が前記キャップの外側に配置される外部リードと を備え、 前記外部リードは、前記基体の前記取付面の法線方向からみて、前記基体の外形線よりも内側の領域に位置していることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (3件)：

H01S 5/024 ,  H01S 5/022 ,  H01L 23/36

FI (3件)：

H01S5/024 ,  H01S5/022 ,  H01L23/36 D

Fターム (17件)：

5F136BC03 ,  5F136DA34 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F173MA05 ,  5F173MA06 ,  5F173MA10 ,  5F173MB02 ,  5F173MC12 ,  5F173MD04 ,  5F173MD05 ,  5F173MD16 ,  5F173ME15 ,  5F173ME22 ,  5F173ME44 ,  5F173ME56 ,  5F173MF28