光電変換装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-531403
特許番号：特許第5770294号
出願日： 2012年08月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1電極、第1光電変換層、第2電極がこの順で積層されてなる光電変換装置であって、前記第1光電変換層は、前記第1電極側から前記第2電極側に向けて順に積層されている、p型シリコン系半導体層と、微結晶シリコン系半導体からなるi型シリコン系半導体層と、リンおよび酸素を含むn型シリコン系半導体層と、を有し、前記n型シリコン系半導体層は、リン濃度が最大である第1部位と層厚方向の位置が前記i型シリコン系半導体層により近い位置に酸素濃度が極大となる第2部位を有する、光電変換装置。

IPC (2件)：