特許
J-GLOBAL ID：201503014468021034

有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料

発明者：
養父 克行

養父 克行 について

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平井 友樹

平井 友樹 について

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益居 健介

益居 健介 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-265910
公開番号（公開出願番号）：特開2015-122437
出願日： 2013年12月24日
公開日（公表日）： 2015年07月02日
要約：
【課題】有機薄膜トランジスタの半導体活性層に用いたときにキャリア移動度が高くなり、有機溶媒への高い溶解性を有する化合物および該化合物を用いた有機薄膜トランジスタの提供。【解決手段】下記式で表される化合物を半導体活性層に含む有機薄膜トランジスタ(X1およびX2はNR13、O原子またはS原子;A1はCR7またはN原子;A2はCR8またはN原子;R13は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアシル基;R1〜R8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R1〜R8のうち少なくとも1つが-L-Rで表される置換基;Lは特定構造の2価の連結基;Rはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数vが2以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基、あるいはトリアルキルシリル基)。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表される化合物を半導体活性層に含む有機薄膜トランジスタ: 一般式(1)
IPC (8件)：
H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  C07D 495/04 ,  C07D 493/04 ,  C07D 487/04 ,  C07D 333/18
FI (8件)：
H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  C07D495/04 101 ,  C07D493/04 101 ,  C07D487/04 137 ,  C07D333/18
Fターム (63件)：
4C050AA01 ,  4C050AA08 ,  4C050BB04 ,  4C050CC04 ,  4C050DD10 ,  4C050EE02 ,  4C050FF02 ,  4C050GG01 ,  4C050HH01 ,  4C071AA01 ,  4C071AA08 ,  4C071BB01 ,  4C071BB07 ,  4C071CC12 ,  4C071CC22 ,  4C071EE05 ,  4C071EE15 ,  4C071FF15 ,  4C071FF23 ,  4C071GG01 ,  4C071GG03 ,  4C071GG04 ,  4C071JJ01 ,  4C071JJ07 ,  4C071KK30 ,  4C071LL10 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32
引用特許：
審査官引用 (3件)

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