特許
J-GLOBAL ID：201503014795482835
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
特許業務法人朝日奈特許事務所
, 河村 洌
, 藤森 洋介
, 藤田 勝利
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-501887
特許番号：特許第5764254号
出願日： 2012年02月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の半導体基板、および該半導体基板の表面に形成された第2導電型半導体層の第1領域を有し、前記半導体基板および前記第1領域により形成されるPN接合を含む回路素子と、前記第1領域に接続される入力端子と、前記入力端子に印加されるESDから前記回路素子を保護する保護素子とを有する半導体装置であって、
前記保護素子が、前記半導体基板に前記第2導電型半導体層の第2領域が形成されることによって、前記第1領域をコレクタとし、前記半導体基板をベースとし、前記第2領域をエミッタとして形成されるトランジスタを含み、該エミッタと前記半導体基板とが前記半導体基板に設けられた接続領域を介して導電体によって接続されることにより形成され、
前記第1領域が複数個に分離して形成され、
複数個の前記第1領域のそれぞれを用いた複数個の前記回路素子が形成され、
前記保護素子の前記第2領域は前記複数個の第1領域で挟まれる中間部に1個で形成されてなる半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8228 ( 200 6.01)
, H01L 27/082 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 27/06 ( 200 6.01)
H01L 27/08 101 C
, H01L 27/04 H
, H01L 27/06 101 P
