特許

J-GLOBAL ID：201503015112762710

光電変換素子及びその製造方法

発明者： 栗原 正明 ,  中嶋 泰大
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
代理人 (2件)： 森 哲也 ,  田中 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-078808
公開番号（公開出願番号）：特開2015-201523
出願日： 2014年04月07日
公開日（公表日）： 2015年11月12日
要約：

【課題】高いアルカリ金属原子ドーピング濃度でエネルギー変換効率や生産性に優れた光電変換素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の光電変換素子は、導電性の第1の電極層1と、この第1の電極層1上に設けられ、硫黄及び/又はセレンから選択されるカルコゲン元素を含有する金属カルコゲナイド半導体を含む光吸収層2と、この光吸収層2上に設けられ、この光吸収層2と異なる極性の半導体を含むバッファ層3と、このバッファ層3上に設けられた第2の電極層4を備えている光電変換素子である。光吸収層2中のアルカリ金属原子の濃度が、4.0×1020atoms/cm2以上、5.0×1021atoms/cm2以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性の第1の電極層と、該第1の電極層上に設けられ、硫黄及び/又はセレンから選択されるカルコゲン元素を含有する金属カルコゲナイド半導体を含む光吸収層と、該光吸収層上に設けられ、該光吸収層と異なる極性の半導体を含むバッファ層と、該バッファ層上に設けられた第2の電極層を備えている光電変換素子であって、 前記光吸収層中のアルカリ金属原子の濃度が、4.0×1020atoms/cm2以上、5.0×1021atoms/cm2以下であることを特徴とする光電変換素子。

IPC (2件)：

H01L 31/074 ,  H01L 31/18

FI (2件)：

H01L31/06 460 ,  H01L31/04 422

Fターム (3件)：

5F151AA10 ,  5F151BA14 ,  5F151CB30