特許
J-GLOBAL ID：201503015275336280
荷電粒子ビーム照射装置及び荷電粒子ビーム照射方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-051029
公開番号（公開出願番号）：特開2015-176685
出願日： 2014年03月14日
公開日（公表日）： 2015年10月05日
要約：
【課題】試料の加工及び観察に要する時間を短縮する必要がある。【解決手段】制御部20は、電子ビームB1を照射する照射部に対して、加工が行われる加工領域に照射する電子ビームB1の照射電流量を、非加工領域に照射する電子ビームB1の照射電流量より多くし、かつ所定のパルスデューティー比としたパルス出力を行わせる。検出信号増幅部18は、荷電粒子ビームが加工領域に照射される期間における検出信号のゲインを、電子ビームB1が非加工領域に照射される期間における検出信号のゲインよりも低くして、検出信号を増幅する。そして、画像構成部30が、増幅された検出信号を用いて、粉末試料13の状態を観察するための観察画像を構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームを照射する照射部と、
加工が行われる試料の加工領域に照射する前記荷電粒子ビームの照射電流量を、前記試料の非加工領域に照射する前記荷電粒子ビームの照射電流量より多くし、かつ所定のパルスデューティー比としたパルス出力を前記照射部に行わせる制御部と、
前記試料に照射した前記荷電粒子ビームにより励起した二次電子を検出することにより、検出信号を出力する二次電子検出部と、
前記荷電粒子ビームが前記加工領域に照射される期間における前記検出信号のゲインを、前記荷電粒子ビームが前記非加工領域に照射される期間における前記検出信号のゲインよりも低くして、前記検出信号を増幅する検出信号増幅部と、
増幅された前記検出信号を用いて、前記試料の状態を観察するための観察画像を構成する画像構成部と、を備える
荷電粒子ビーム照射装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
4F213AC04
, 4F213AP20
, 4F213AR20
, 4F213WA22
, 4F213WA25
, 4F213WB01
, 4F213WL43
, 4F213WL76
, 4F213WL85
, 4F213WL95
, 5C034AA09
, 5C034AB01
, 5C034AB02
, 5C034AB03
, 5C034AB04
, 5C034AB09
