特許
J-GLOBAL ID：201503015537988739
バックエッチングを施したエミッタを有するシリコン太陽電池および類似の太陽電池を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤田 和子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-283197
公開番号（公開出願番号）：特開2013-080954
特許番号：特許第5801791号
出願日： 2012年12月26日
公開日（公表日）： 2013年05月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 選択的エミッタを有するシリコン太陽電池(1)の形成方法であって、
太陽電池基板(13)のエミッタ面に対して2次元的に延在するエミッタ(5)を形成する工程と、
前記エミッタ面の第1部分領域(8)上にエッチング防壁(25)を処理する工程と、
前記エッチング防壁によって覆われない前記エミッタ面の第2部分領域(9)に多孔質シリコン層(27)を形成する工程と、
前記エッチング防壁(25)によって覆われない前記エミッタ面の前記第2部分領域(9)の前記エミッタ面をエッチングすることにより、前記エミッタ(5)の厚さが局所的に減少し、かつ前記エミッタ(5)のシート抵抗が局所的に高くなる工程と、
前記エッチング防壁(25)を除去する工程と、
前記第1部分領域(7)に対して金属接点(17)を形成する工程とを、この順序で含む、ことを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 31/18 ( 200 6.01)
, H01L 31/0224 ( 200 6.01)
, H01L 31/068 ( 201 2.01)
H01L 31/04 420
, H01L 31/04 262
, H01L 31/06 300
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (13件)
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