特許
J-GLOBAL ID:201503015656074435

半導体発光素子用の測定装置および半導体発光素子用の測定方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人 エビス国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-507101
特許番号:特許第5813861号
出願日: 2012年03月27日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体発光素子が放射する光を受光する受光面を有する受光部と、 前記半導体発光素子と前記受光部との距離を変更可能な距離変更手段と、 前記半導体発光素子が放射する光のうち一方向の波長又は強度を測定可能な測定部と、を備え、 前記測定部は、 前記距離変更手段によって前記距離が変更されることに伴い、 前記半導体発光素子の発光中心を通る発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記受光面の外周端を結ぶラインとにより形成される角度と、 前記発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記測定部を結ぶラインとにより形成される角度とが、同程度となる位置に移動された状態で測定する 半導体発光素子用の測定装置。
IPC (2件):
G01M 11/00 ( 200 6.01) ,  G01J 1/00 ( 200 6.01)
FI (2件):
G01M 11/00 T ,  G01J 1/00 E
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献:
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