特許
J-GLOBAL ID：201503015665485013
画像形成装置のストレージ制御方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-165694
公開番号（公開出願番号）：特開2015-035114
出願日： 2013年08月09日
公開日（公表日）： 2015年02月19日
要約：
【課題】充分に使い込まれたSSDにおいては不要データを含んだ大量のペアブロックがストレージ中に散在してしまっているため、これらの散在するペアブロックに含まれる不要データをライトコマンドで消去するには非常に時間がかかった。【解決手段】ペア内の有効データを集約して別の未使用ブロックに書き込んだ後にペアを解消して未使用ブロックに割り当てる処理を全てのペアブロックに一括して行った後で、未使用ブロックのクリアコマンドにて不要データを消去する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
画像形成装置に搭載されるフラッシュメモリ1003で構成された半導体ストレージ413において、
前記フラッシュメモリ1003の未使用ブロックに新規にデータを書き込む時は1セクタ単位で書き込み、前記書き込まれたブロック内のデータを更新する時は他の未使用ブロックとペアになり2ブロックで1つの論理ブロックとしたペアブロックとして管理し、更新に際して前段ブロックに不要データがある場合も前記不要データを残したままとし、更新差分データを後段ブロックに1セクタ単位で書き込み、前記ペアブロック内の有効データが既存データと更新差分データを合わせて1ブロック分になった場合は、ペア内の有効データを集約して別の未使用ブロックに書き込んだ後にペアを解消して未使用ブロックに割り当てるペアブロック管理手段1005を備えたフラッシュメモリ制御部1000において、
前記フラッシュメモリ1003内に生成された前記ペアブロック内の有効データを集約して未使用ブロックへの移動する処理とペア解消及び未使用ブロックへ再割り当て処理とを一括して行うペアブロック一括解消手段1006と、
前記半導体ストレージ413へのデータの書き込みを禁止するライトプロテクト手段1007を設ける事により、
前記半導体ストレージ413が前記ライトプロテクト手段1007により書き込み禁止が有効となり、かつ前記ペアブロック一括解消手段1006が有効となった場合は、前記フラッシュメモリ1003内の全ペアブロックの解消処理を行った上で未使用ブロックデータの一括消去処理を行う事を特徴とする画像形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G06F3/06 301J
, G06F3/08 H
