特許

J-GLOBAL ID：201503015798300220

真空吸着ステージ、半導体ウエハのダイシング方法およびアニール方法

発明者： 松村 民雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012056265
公開番号（公開出願番号）：WO2013-136411
出願日： 2012年03月12日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：

本発明は、ダイシング時にダイシングテープの破損を抑制する真空吸着ステージと、これを用いた半導体ウエハのダイシング方法の提供を目的とする。さらには、研削保護テープの発泡を抑制する当該真空吸着ステージを用いた半導体ウエハのアニール方法の提供を目的とする。本発明の真空吸着ステージは、半導体ウエハ6を載置する載置面1aを有し、載置面1aにおいて、半導体ウエハ6のチップ領域6aよりも外周にのみ真空吸着穴2が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ(6,20,56)を載置する載置面(1a,21a,21b,31a)を有し、 前記載置面(1a,21a,21b,31a)において、前記半導体ウエハ(6,20,56)のチップ領域(6a)よりも外周にのみ真空吸着穴(2,22,32)が形成される、 真空吸着ステージ(1,21,31)。

IPC (3件)：

H01L 21/683 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/304

FI (4件)：

H01L21/68 P ,  H01L21/78 N ,  H01L21/78 B ,  H01L21/304 631

Fターム (21件)：

5F057AA31 ,  5F057BA11 ,  5F057CA14 ,  5F057CA36 ,  5F057DA11 ,  5F057FA28 ,  5F057FA30 ,  5F063AA18 ,  5F063AA31 ,  5F063AA33 ,  5F063CA06 ,  5F063DD30 ,  5F063FF04 ,  5F131AA02 ,  5F131AA04 ,  5F131BA52 ,  5F131CA09 ,  5F131CA12 ,  5F131DA03 ,  5F131EA05 ,  5F131EB02