特許
J-GLOBAL ID:201503016142764927
低電力状態からのレジューム時における処理システムの揮発性メモリからの再初期化
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
早川 裕司
, 佐野 良太
, 村雨 圭介
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-515142
公開番号(公開出願番号):特表2015-523645
出願日: 2013年05月29日
公開日(公表日): 2015年08月13日
要約:
ブート構成情報(130)は、低電力状態中、処理システム(100)の揮発性メモリ(102)に記憶される。低電力状態からレジュームする際に、プロセッサ装置(126)は、不揮発性メモリ(104,124)からメモリコントローラ(114)に関する構成情報(138)にアクセスし、揮発性メモリ(102)にアクセスできるように構成情報(138)を用いてメモリコントローラ(114)を復元する。その後、プロセッサ装置(126)は、低電力状態中に揮発性メモリ(102)によって保持され、構成されたメモリコントローラ(114)を介してアクセスされるコア状態情報(134)を用いて、1つ以上のプロセッサコア(106)の最初のコンテキストを構成し、1つ以上のプロセッサコア(106)は、不揮発性メモリ(104)からブートコード(132)にアクセスするのではなく、低電力状態中に揮発性メモリ(102)によって保持され、構成されたメモリコントローラ(114)を介してアクセスされるレジュームブートコード(136)を実行することによって、ブートプロセスを完了する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
プロセッサ装置(126)がパワーダウンされている低電力状態からレジュームするという指示に応じて、前記低電力状態の間に揮発性メモリ(102)に記憶された第1のブート構成情報(132)を用いて、前記プロセッサ装置(126)を再初期化することを含む方法。
IPC (3件):
G06F 1/04
, G06F 1/30
, G06F 9/445
FI (3件):
G06F1/04 A
, G06F1/30 M
, G06F9/06 610K
Fターム (9件):
5B011DC06
, 5B011EA08
, 5B011EB01
, 5B011JA02
, 5B011JA04
, 5B011MB07
, 5B376AE02
, 5B376AE42
, 5B376FA01
引用特許: