特許

J-GLOBAL ID：201503016167837457

モールド、レジスト積層体及びその製造方法並びに凹凸構造体

発明者： 古池 潤
出願人/特許権者： 旭化成イーマテリアルズ株式会社
代理人 (3件)： 青木 宏義 ,  天田 昌行 ,  三輪 正義
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013056598
公開番号（公開出願番号）：WO2013-137176
出願日： 2013年03月11日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：

レジスト積層体(30)は、無機基板(21)と、無機基板(21)の一主面上に設けられた第1のレジスト層(22)と、第1のレジスト層(22)上に設けられ、表面に凹凸構造(23a)が設けられた第2のレジスト層(23)と、を具備する。凹凸構造(23a)は、転写後における残膜の厚みが50nm以下であり、モールドの微細パタンの凸部頂部幅(lcv)と凹部開口幅(lcc)との比率(lcv/lcc)が所定範囲内であり、モールドの微細パタンの凹部体積(Vcm)と、第2のレジスト層(23)の体積(Vr2)と、の比率(Vr2/Vcm)が所定範囲内である。無機基板(21)上に薄く且つ均等な残膜を有するレジストマスク(25)を容易に形成可能である。

請求項（抜粋）：

表面の一部又は全面に微細パタンを具備するモールドであって、 前記微細パタンは、凸部頂部幅(lcv)と凹部開口幅(lcc)との比率(lcv/lcc)と、前記微細パタンの単位面積(Scm)の領域下に存在する開口部面積(Sh)と前記単位面積(Scm)との比率(Sh/Scm)と、が下記式(1)を満たすと共に、 前記比率(Sh/Scm)は下記式(2)を満たし、前記比率(lcv/lcc)は下記式(3)を満たし、且つ前記微細パタンの高さ(H)は下記式(4)を満たすことを特徴とするモールド。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  B29C 33/38 ,  B29C 59/02

FI (4件)：

H01L21/30 502D ,  H01L21/30 573 ,  B29C33/38 ,  B29C59/02 B

Fターム (35件)：

4F202AF01 ,  4F202AG05 ,  4F202AH33 ,  4F202AJ03 ,  4F202AJ09 ,  4F202AR02 ,  4F202AR06 ,  4F202AR12 ,  4F202AR20 ,  4F202CA19 ,  4F202CB01 ,  4F202CD05 ,  4F202CD23 ,  4F202CD24 ,  4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AJ06 ,  4F209AR07 ,  4F209AR12 ,  4F209AR20 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN09 ,  4F209PN13 ,  4F209PQ11 ,  5F146AA32 ,  5F146AA33 ,  5F146AA34 ,  5F146NA01 ,  5F146NA06 ,  5F146NA17