特許

J-GLOBAL ID：201503016191981177

パワーモジュール用基板の製造方法

発明者： 大開 智哉 ,  大井 宗太郎 ,  西川 仁人
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-201998
公開番号（公開出願番号）：特開2015-070061
出願日： 2013年09月27日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
要約：

【課題】セラミックス基板上にアルミニウム層と銅層とが積層されるパワーモジュール用基板において、各層間を確実に接合し、所望の回路パターンを形成する。【解決手段】絶縁層を形成するセラミックス基板上の所定位置に回路層を形成するアルミニウム板を位置決めして積層載置し前記セラミックス基板に前記アルミニウム板を接合するアルミニウム板接合工程と、前記セラミックス基板上に接合された前記アルミニウム板上の所定位置に前記アルミニウム板よりも小さい回路形状を有し前記回路層を形成する銅板を位置決めして積層載置し銅とアルミニウムの共晶温度未満で加熱し前記アルミニウム板と前記銅板とを固相拡散接合する銅板接合工程と、前記アルミニウム板上に接合された前記銅板上にレジスト層を形成するレジスト形成工程と、前記アルミニウム板における前記銅板が接合されていない周辺部をエッチング処理により除去するエッチング工程とを有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

絶縁層とこの絶縁層の一方の面に形成された回路層とを有するパワーモジュール用基板の製造方法であって、 絶縁層を形成するセラミックス基板の一方の面上の所定位置に、回路層を形成する所定の大きさのアルミニウム板を位置決めして積層載置し、前記セラミックス基板に前記アルミニウム板を接合するアルミニウム板接合工程と、 前記セラミックス基板上に接合された前記アルミニウム板上の所定位置に、前記アルミニウム板よりも小さい回路形状を有し前記回路層を形成する銅板を位置決めして積層載置し、銅とアルミニウムの共晶温度未満で加熱し前記アルミニウム板と前記銅板とを固相拡散接合する銅板接合工程と、 前記アルミニウム板上に接合された前記銅板上にレジスト層を形成するレジスト形成工程と、 前記アルミニウム板における前記銅板が接合されていない周辺部をエッチング処理により除去するエッチング工程とを有することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L23/36 C ,  H01L23/12 D ,  H01L23/12 J

Fターム (7件)：

5F136BB04 ,  5F136DA27 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA14 ,  5F136FA16 ,  5F136FA82