特許
J-GLOBAL ID:201503016504671299

高キャリア密度n型ZnO薄膜及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 清原 義博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-006297
公開番号(公開出願番号):特開2015-135879
出願日: 2014年01月16日
公開日(公表日): 2015年07月27日
要約:
【課題】耐熱性及び電気特性に優れ、従来技術であるバッファ層あるいは極性面反転層挿入を例とする煩雑な製法を必要とせずに簡易な方法で作製することができるZn極性高キャリア密度n型ZnO薄膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】亜鉛原子と、酸素原子と添加原子とを含む高キャリア密度n型ZnO薄膜であって、Al、Ga及びB原子からなる群から選択される第1添加剤とTi、Zr及びHf原子からなる群から選択される第2添加剤とが添加されてなり、Zn極性面を有する第1ZnO薄膜層と、前記第1ZnO薄膜層上に形成され、Al、Ga及びB原子からなる群から選択される第1添加剤のみが添加されてなり、Zn極性面を有する第2ZnO薄膜層と、からなることを特徴とする高キャリア密度n型ZnO薄膜とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
亜鉛原子と、酸素原子と添加原子とを含む高キャリア密度n型ZnO薄膜であって、 Al、Ga及びB原子からなる群から選択される第1添加剤とTi、Zr及びHf原子からなる群から選択される第2添加剤とが添加されてなり、Zn極性面を有する第1ZnO薄膜層と、 前記第1ZnO薄膜層上に形成され、Al、Ga及びB原子からなる群から選択される第1添加剤のみが添加されてなり、Zn極性面を有する第2ZnO薄膜層と、からなることを特徴とする高キャリア密度n型ZnO薄膜。
IPC (2件):
H01L 21/363 ,  C23C 14/08
FI (2件):
H01L21/363 ,  C23C14/08 C
Fターム (29件):
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA03 ,  4K029BA17 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA04 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  4K029GA05 ,  5F103AA06 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL04 ,  5F103LL13

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