特許
J-GLOBAL ID：201503016566480945
ガラス基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
加藤 秀忠
, 石川 貴之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-189288
公開番号（公開出願番号）：特開2014-047086
特許番号：特許第5774562号
出願日： 2012年08月29日
公開日（公表日）： 2014年03月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体素子が形成されるフラットパネルディスプレイ用のガラス基板の製造方法であって、
半導体素子が形成されるガラス基板の表面である第1表面の反対側の表面である第2表面を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程で洗浄された前記第2表面をエッチングするエッチング工程と、
を備え、
前記エッチング工程でエッチングされる前の前記第2表面の表面抵抗より、前記エッチング工程でエッチングされた後の前記第2表面の表面抵抗が小さくなるように、前記第2表面は、前記洗浄工程で洗浄され、前記エッチング工程でエッチングされ、
前記洗浄工程において、前記第2表面は、プラズマ洗浄処理が行われ、
前記エッチング工程において、前記第2表面は、プラズマ状態のキャリアガス中に生成されるフッ素系エッチングガスを用いるドライエッチング処理が行われ、
前記エッチング工程でエッチングされた後の前記第2表面は、0.3nm以上、かつ、0.5nm未満のRaを有する、
ガラス基板の製造方法。
IPC (5件)：
C03C 15/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, B08B 7/00 ( 200 6.01)
, C03C 23/00 ( 200 6.01)
, G02F 1/1333 ( 200 6.01)
C03C 15/00 A
, H01L 21/302 104 Z
, H01L 21/302 101 E
, B08B 7/00
, C03C 23/00 A
, G02F 1/133 500
