特許

J-GLOBAL ID：201503016654003455

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 日野 史郎 ,  三浦 成久 ,  古川 彰彦 ,  中尾 之泰 ,  渡辺 友勝 ,  多留谷 政良 ,  海老池 勇史 ,  今泉 昌之 ,  綾 淳
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-521487
特許番号：特許第5653519号
出願日： 2012年03月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1導電型の炭化珪素半導体基板(20)と、 前記炭化珪素半導体基板(20)上に形成された、第1導電型の炭化珪素ドリフト層(21)と、 前記炭化珪素ドリフト層(21)表層に互いに離間して形成されて複数のユニットセルを構成する、第2導電型の第1ウェル領域(41)と、 各前記第1ウェル領域(41)表層に選択的に形成された第1導電型のソース領域(80)と、 少なくとも前記炭化珪素ドリフト層(21)と、各前記第1ウェル領域(41)と、前記ソース領域(80)との上に形成されたゲート絶縁膜(30)と、 前記ゲート絶縁膜(30)上に選択的に形成されたゲート電極(50)と、 前記ゲート絶縁膜(30)を貫通して、前記ソース領域(80)内部まで到達するソースコンタクトホール(61)と、 前記ソースコンタクトホール(61)の少なくとも側面に形成された、圧縮応力が残留する圧縮応力残留層(90)とを備えることを特徴とする、 半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 D ,  H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/78 658 G ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/50 M

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 扉の反り防止器具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-209960   出願人：株式会社ニシムラ