特許

J-GLOBAL ID：201503016750352356

結晶性積層構造体、半導体装置

発明者： 織田 真也 ,  人羅 俊実
出願人/特許権者： 株式会社FLOSFIA
代理人 (3件)： SK特許業務法人 ,  奥野 彰彦 ,  伊藤 寛之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-073646
公開番号（公開出願番号）：特開2015-196603
出願日： 2014年03月31日
公開日（公表日）： 2015年11月09日
要約：

【課題】不純物がドーピングされたコランダム構造を有するα-酸化ガリウム系薄膜が加熱工程において高抵抗化することを抑制することができる結晶性積層構造体を提供する。【解決手段】本発明によれば、下地基板と、その上に直接又は別の層を介して形成され且つコランダム構造を有するα-酸化ガリウム系薄膜を備え、前記α-酸化ガリウム系薄膜は、前記α-酸化ガリウム系薄膜中の金属元素中のガリウムの原子比が0.5以上であり、膜厚が1μm以上であり、且つその少なくとも一部に不純物がドーピングされている、結晶性積層構造体が提供される。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

下地基板と、その上に直接又は別の層を介して形成され且つコランダム構造を有するα-酸化ガリウム系薄膜を備え、 前記α-酸化ガリウム系薄膜は、前記α-酸化ガリウム系薄膜中の金属元素中のガリウムの原子比が0.5以上であり、膜厚が1μm以上であり、且つその少なくとも一部に不純物がドーピングされている、結晶性積層構造体。

IPC (3件)：

C30B 29/16 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/365

FI (3件)：

C30B29/16 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365

Fターム (39件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB10 ,  4G077BB10 ,  4G077BC60 ,  4G077DB02 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF04 ,  4G077FJ07 ,  4G077HA06 ,  4K030AA02 ,  4K030AA14 ,  4K030AA20 ,  4K030BA08 ,  4K030BA16 ,  4K030BA42 ,  4K030BB02 ,  4K030BB03 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA20 ,  4K030LA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AD09 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16