特許

J-GLOBAL ID：201503016757522248

セミコンダクタ・オン・インシュレータ構造およびその製造方法

発明者： ブローリー,アンドリュー,ジョン
出願人/特許権者： ザ シラナ グループ プロプライエタリー リミテッド
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-539186
公開番号（公開出願番号）：特表2015-501548
出願日： 2012年11月02日
公開日（公表日）： 2015年01月15日
要約：

内部に電子デバイスが形成された半導体薄膜層と、電気的絶縁薄膜層であって、電気的絶縁薄膜層の第1の面上に半導体薄膜層が配置された電気的絶縁薄膜層とを有し、寄生容量を減少させるべく、電気的絶縁薄膜層の第1の面と対向する第2の面にはバルク基板が取り付けられず、デバイスからの熱の流路を与えるべく、電気的絶縁薄膜層の熱伝導率は、実質的に1.4Wm-1K-1より大きいセミコンダクタ・オン・インシュレータ構造。

請求項（抜粋）：

内部に電子デバイスが形成された半導体薄膜層と、 電気的絶縁薄膜層であって、前記電気的絶縁薄膜層の第1の面上に前記半導体薄膜層が配置された電気的絶縁薄膜層と を備え、 寄生容量を減少させるべく、前記電気的絶縁薄膜層の前記第1の面と対向する第2の面にはバルク基板が取り付けられず、前記デバイスからの熱の流路を与えるべく、前記電気的絶縁薄膜層の熱伝導率は、実質的に1.4Wm-1K-1より大きい、 セミコンダクタ・オン・インシュレータ構造。

IPC (12件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092

FI (13件)：

H01L27/12 D ,  H01L27/12 B ,  H01L21/02 B ,  H01L21/265 H ,  H01L21/265 Q ,  H01L27/12 S ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 627D ,  H01L21/88 T ,  H01L21/88 J ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321A

Fターム (53件)：

5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033MM30 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033SS07 ,  5F033SS09 ,  5F033SS11 ,  5F033VV07 ,  5F033XX22 ,  5F048AC03 ,  5F048BA16 ,  5F048BA17 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F110AA23 ,  5F110BB04 ,  5F110DD05 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ17 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152LP01 ,  5F152LP07 ,  5F152LP08 ,  5F152LP09 ,  5F152MM04 ,  5F152NN03 ,  5F152NN13 ,  5F152NN27 ,  5F152NP11 ,  5F152NQ03