シリコン膜の成膜方法、薄膜の成膜方法および断面形状制御方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-104835
公開番号（公開出願番号）：特開2015-045082
出願日： 2014年05月21日
公開日（公表日）： 2015年03月12日
要約：

【課題】更なる薄膜化の要求に対しても対応可能であり、かつ、表面ラフネスの精度をも改善することが可能なシリコン膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】被処理面上に、分子式中にシリコンを2つ以上含む高次アミノシラン系ガスを供給し、被処理面上にシリコンを吸着させてシード層を形成する工程(ステップ1)と、シード層上に、アミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、シード層上にシリコンを堆積させてシリコン膜を形成する工程(ステップ2)と、を備え、ステップ1工程における処理温度を350°C以下室温(25°C)以上の範囲とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理面を有する被処理体上に、シリコン膜を成膜するシリコン膜の成膜方法であって、 (1) 前記被処理面上に、分子式中にシリコンを2つ以上含む高次アミノシラン系ガスを供給し、前記被処理面上にシリコンを吸着させてシード層を形成する工程と、 (2) 前記シード層上に、アミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、前記シード層上にシリコンを堆積させてシリコン膜を形成する工程と、を備え、前記(1)工程における処理温度を350°C以下室温(25°C)以上の範囲とすることを特徴とするシリコン膜の成膜方法。

IPC (2件)：

C23C 16/24 , H01L 21/205

FI (2件)：

C23C16/24 , H01L21/205

Fターム (35件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA29 , 4K030CA04 , 4K030DA08 , 4K030EA04 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045AF08 , 5F045AF11 , 5F045AF14 , 5F045BB11 , 5F045BB12 , 5F045BB17 , 5F045DA67

引用特許：

審査官引用 (11件)

特許第5925673号
成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-207962 出願人：東京エレクトロン株式会社
有機アミノジシラン前駆体、及びそれを含む膜の堆積方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-117293 出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド

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