リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-065865
公開番号（公開出願番号）：特開2015-108644
出願日： 2012年03月22日
公開日（公表日）： 2015年06月11日
要約：

【課題】レジストとインターミキシングすることなく、特にEUV露光に際して好ましくない露光光、例えばUVやDUVを遮断してEUVのみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能な、半導体装置の製造工程においてリソグラフィープロセスに用いるレジスト上層膜形成組成物を提供する。【解決手段】 (a)テトラカルボン酸二無水物化合物、(b)酸ジハライド化合物及び(c)ジカルボン酸無水物基と酸ハライド基両方を有する化合物の中から選ばれる1つ以上の化合物と、(d)ジアミン化合物とを反応させて製造される、アミド結合及びイミド結合のうち少なくとも一方を含む樹脂と、アルコール系溶剤を含むレジスト上層膜形成組成物を提供する。樹脂末端は芳香環又は炭素数1乃至5個のアルキル基を含む有機基にて封止されていてもよい。【化1】【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(a)テトラカルボン酸二無水物化合物、(b)酸ジハライド化合物及び(c)ジカルボン酸無水物基と酸ハライド基両方を有する化合物の中から選ばれる1つ以上の化合物と、(d)ジアミン化合物とを反応させて製造される、アミド結合及びイミド結合のうち少なくとも一方を含む樹脂と、アルコール系溶剤を含むレジスト上層膜形成組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/11 , C08G 73/10 , C08G 73/22 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/11 501 , C08G73/10 , C08G73/22 , H01L21/30 575

Fターム (50件)：

2H125AM16N , 2H125AM73N , 2H125AM75N , 2H125AM90N , 2H125AM99N , 2H125AN11N , 2H125AN38N , 2H125BA01N , 2H125CA12 , 2H125DA02 , 4J043PA05 , 4J043PA06 , 4J043PB23 , 4J043PC115 , 4J043QB23 , 4J043QB31 , 4J043QB45 , 4J043RA05 , 4J043RA34 , 4J043RA35 , 4J043RA53 , 4J043SA05 , 4J043SA06 , 4J043SA54 , 4J043SA63 , 4J043SA71 , 4J043SB03 , 4J043SB04 , 4J043TA13 , 4J043TA21 , 4J043TA22 , 4J043TA26 , 4J043TB01 , 4J043TB03 , 4J043UA022 , 4J043UA121 , 4J043UA122 , 4J043UA131 , 4J043UA132 , 4J043UB062 , 4J043UB301 , 4J043UB401 , 4J043VA021 , 4J043VA041 , 4J043VA051 , 4J043VA081 , 4J043XA15 , 4J043YA10 , 4J043ZB22 , 5F146PA07

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