特許

J-GLOBAL ID：201503017251325530

強相関酸化物電界効果素子

発明者： 荻本 泰史
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (2件)： 河野 広明 ,  岡本 正之
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012062173
公開番号（公開出願番号）：WO2012-172898
出願日： 2012年05月11日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
要約：

【課題】 電気的手段により相転移しスイッチング機能を発現する強相関酸化物電界効果素子を提供する。【解決手段】 強相関酸化物薄膜からなるチャネル層2と、ゲート電極41と、ゲート絶縁層31と、ソース電極42およびドレイン電極43とを備える強相関酸化物電界効果素子100が提供される。チャネル層2は互いに積層して配置されている強相関酸化物の絶縁体金属転移層22と強相関酸化物の金属状態層21とを含んでおり、チャネル層2の厚さt、絶縁体金属転移層22の厚さt1、および金属状態層21の厚さt2が、それぞれの金属相のための臨界膜厚t1cおよびt2cに対し、t=t1+t2≧t1c>t2c、ただしt1 請求項（抜粋）：

強相関酸化物薄膜を含むチャネル層と、ゲート電極と、該チャネル層の表面または界面の少なくとも一部に接して形成され、該チャネル層と該ゲート電極とにより挟まれているゲート絶縁層と、前記チャネル層の少なくとも一部に接して形成されたソース電極およびドレイン電極とを備える強相関酸化物電界効果素子であって、 前記チャネル層が、互いに積層して配置されている強相関酸化物の絶縁体金属転移層と強相関酸化物の金属状態層とを含んでおり、 該チャネル層の厚さt、該絶縁体金属転移層の厚さt1、および該金属状態層の厚さt2が、該絶縁体金属転移層および該金属状態層のそれぞれの金属相のための臨界膜厚t1cおよびt2cに対し、 t=t1+t2≧t1c>t2c、ただしt1 IPC (2件)：

H01L 49/00 ,  H01L 45/00

FI (2件)：

H01L49/00 Z ,  H01L45/00 Z