特許

J-GLOBAL ID：201503017335374234

半導体装置及びその製造方法、並びに結晶及びその製造方法

発明者： 織田 真也 ,  人羅 俊実
出願人/特許権者： 株式会社FLOSFIA
代理人 (3件)： SK特許業務法人 ,  奥野 彰彦 ,  伊藤 寛之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-216845
公開番号（公開出願番号）：特開2015-017027
出願日： 2013年10月17日
公開日（公表日）： 2015年01月29日
要約：

【課題】コランダム構造酸化物結晶の高温時の相転移が抑制される半導体装置、又は結晶を提供する【解決手段】本発明によれば、インジウム原子及びガリウム原子の一方又は両方を含むコランダム構造酸化物結晶を備え、前記酸化物結晶は、少なくとも、結晶格子の格子点間の隙間にアルミニウム原子を含有する、半導体装置、又は結晶構造体が提供される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

インジウム原子及びガリウム原子の一方又は両方を含むコランダム構造酸化物結晶を備え、 前記酸化物結晶は、少なくとも、結晶格子の格子点間の隙間にアルミニウム原子を含有する、半導体装置、又は結晶構造体。

IPC (6件)：

C01G 15/00 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/448 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205

FI (8件)：

C01G15/00 D ,  C01G15/00 B ,  C01G15/00 Z ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/02 Z ,  H01L21/205

Fターム (42件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077DB02 ,  4G077EA02 ,  4G077EF02 ,  4G077TB01 ,  4G077TC06 ,  4G077TC13 ,  4G077TC19 ,  4G077TH01 ,  4K030AA02 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BA55 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030BB13 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA15 ,  5F045AB17 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045EE02 ,  5F045EE14