Cu2O膜をp-型の半導体層として具備する半導体素子の構造とその作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-216597
公開番号（公開出願番号）：特開2015-079881
出願日： 2013年10月17日
公開日（公表日）： 2015年04月23日
要約：

【課題】様々な材質の基板上にCu2O膜を堆積することが可能で、膜の形成プロセス温度を大幅に低減し、高温の時と同様の性能が期待できる太陽電池素子等の半導体素子の構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】Cu2O膜4をp-型の半導体層として具備し、Cu2O膜4は、各結晶粒の結晶面配向方向が一方向にのみに選択された、厚みが100〜1000nmの多結晶膜であり、該多結晶膜を構成する結晶粒は、その80%以上が該多結晶膜の両面に露出する半導体素子。基板上1に、仕事関数の値がCu2Oのそれと同等以上の値を持つ金属膜3を形成する金属膜形成工程、金属膜3の直上に、p-型の半導体層となるCu2O膜4を室温〜400°Cの温度で堆積するCu2O膜4堆積工程、及び、酸素分圧を0.1〜10Paの範囲に調整しながら400°C〜600°Cの熱処理しCu2O膜4の再結晶化を行う再結晶化熱処理工程を少なくとも含む作製方法。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

Cu2O膜をp-型の半導体層として具備する半導体素子であって、前記Cu2O膜は、各結晶粒の結晶面配向方向が一方向にのみに選択された、厚みが100〜1000nmの多結晶膜であり、該多結晶膜を構成する結晶粒は、その80%以上が該多結晶膜の両面に露出するものであることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 31/06 , C23C 14/08

FI (2件)：

H01L31/04 E , C23C14/08 J

Fターム (20件)：

4K029AA02 , 4K029AA24 , 4K029BA43 , 4K029BB08 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DC39 , 4K029GA01 , 5F151AA07 , 5F151BA11 , 5F151CB15 , 5F151CB24 , 5F151DA03 , 5F151DA07 , 5F151DA20 , 5F151FA06 , 5F151FA13 , 5F151FA15 , 5F151GA03 , 5F151GA04

前のページに戻る