特許

J-GLOBAL ID：201503017813780015

熱電変換素子

発明者： ベネキ ジョン ディビット ,  石井 雅俊 ,  栗原 和明 ,  山中 一典
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  加藤 隆夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-515378
特許番号：特許第5773072号
出願日： 2012年05月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板と、 前記基板上に形成され、SrとTiを含み第1のバンドギャップを有する第1のペロブスカイト型誘電体膜とSrとTiを含み、前記第1のバンドギャップよりも小さな第2のバンドギャップを有する第2のペロブスカイト型誘電体膜とを交互に積層した積層体と、 前記積層体の下端に電気的に接続されて形成された第1の電極と、 前記積層体の上端に電気的に接続されて形成された第2の電極と、 を備え、 前記第1および第2のペロブスカイト型誘電体膜はいずれもドープされて導電性を有し、 前記第1および第2のペロブスカイト型誘電体膜は、それぞれの伝導帯の間に最大で0.54eVのバンドオフセットを生じる組成を有し、 前記積層体の上端が第1の温度に曝され前記積層体の下端が第2の温度に曝されることにより、前記積層体の前記上端と下端の間に起電力を生じる熱電変換素子。

IPC (4件)：

H01L 35/22 ( 200 6.01) ,  H01L 35/26 ( 200 6.01) ,  C01G 23/00 ( 200 6.01) ,  C01G 25/00 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 35/22 ,  H01L 35/26 ,  C01G 23/00 C ,  C01G 25/00