薄膜積層体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：廣田雅紀
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013000383
公開番号（公開出願番号）：WO2013-118442
出願日： 2013年01月25日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：

本発明の薄膜積層体は、樹脂基体上に、第1層、第2層の順に形成された薄膜積層体において、第1層が、a)RnSiX4-nで表される有機ケイ素化合物の縮合物、及びb)有機高分子化合物を含有する、膜厚500nm以上の有機無機複合薄膜であり、第2層が、a)ゾルゲル法により形成された膜厚200nm以下の金属酸化物薄膜であって、且つ膜厚のばらつき[%]=100×(膜厚の標準偏差)/(膜厚の平均値)で表される膜厚のばらつきが10%未満である金属酸化物薄膜、又は、b)膜厚500nm以下のガスバリア膜であり、且つ、第1層は第2層との界面側に上記有機ケイ素化合物の縮合物が濃縮した層を有し、該濃縮層の炭素原子の濃度は、第1層と第2層との界面から300nmの深さの第1層の炭素原子の濃度に比べて20%以上少ないことを特徴とする薄膜積層体である。

請求項（抜粋）：

樹脂基体上に、第1層、第2層の順に形成された薄膜積層体において、第1層が、 a)式(I) RnSiX4-n (I) (式中、RはSiに炭素原子が直接結合する有機基を表し、Xは水酸基又は加水分解性基を表す。nは1又は2を表し、nが2のとき各Rは同一でも異なっていてもよく、(4-n)が2以上のとき各Xは同一でも異なっていてもよい。)で表される有機ケイ素化合物の縮合物、及び b)有機高分子化合物を含有する、膜厚500nm以上の有機無機複合薄膜であり、第2層が、 a)ゾルゲル法により形成された膜厚200nm以下の金属酸化物薄膜であって、且つ下記式、膜厚のばらつき [%] = 100×(膜厚の標準偏差)/(膜厚の平均値) で表される膜厚のばらつきが10%未満である金属酸化物薄膜、又は、 b)膜厚500nm以下のガスバリア膜であり、且つ、第1層は第2層との界面側に式(I)で表される有機ケイ素化合物の縮合物が濃縮した層を有し、該濃縮層の炭素原子の濃度は、第1層と第2層との界面から300nmの深さの第1層の炭素原子の濃度に比べて20%以上少ないことを特徴とする薄膜積層体。

IPC (1件)：

B32B 9/00

FI (1件)：

B32B9/00 A

Fターム (28件)：

4F100AA17C , 4F100AA20D , 4F100AA21C , 4F100AA25C , 4F100AA27C , 4F100AA28C , 4F100AA30C , 4F100AA33C , 4F100AK01A , 4F100AK01B , 4F100AK79B , 4F100BA03 , 4F100BA04 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100BA10D , 4F100EH66D , 4F100EJ13B , 4F100EJ52C , 4F100EJ54B , 4F100EJ61B , 4F100JA12C , 4F100JD02C , 4F100JD04 , 4F100JL11 , 4F100JN18C , 4F100JN18D

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