特許
J-GLOBAL ID：201503017955712955
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高田 守
, 高橋 英樹
, 久野 淑己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-011869
公開番号（公開出願番号）：特開2013-152981
特許番号：特許第5765251号
出願日： 2012年01月24日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板のセル領域、パッド領域、及び前記セル領域と前記パッド領域の間の中間領域に設けられた第1導電型の半導体層と、
前記セル領域において前記半導体層上に設けられた第2導電型の第1のベース層と、
前記中間領域において前記半導体層上に設けられた第2導電型の第2のベース層と、
前記第1のベース層内に設けられた第1導電型の導電領域と、
前記導電領域と前記半導体層に挟まれたチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記第1及び第2のベース層に接続された第1の電極と、
前記半導体層の下面に接続された第2の電極と、
前記パッド領域において前記半導体層上に絶縁膜を介して設けられ、前記ゲート電極に接続されたゲートパッドとを備え、
前記第2のベース層の前記ゲートパッド側は、不純物濃度勾配が前記第1のベース層に比べてなだらかなVLD(Variation Lateral Doping)構造であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 Q
, H01L 29/78 652 N
, H01L 29/78 658 A
