特許
J-GLOBAL ID:201503018003197913

炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人深見特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-272529
公開番号(公開出願番号):特開2015-127267
出願日: 2013年12月27日
公開日(公表日): 2015年07月09日
要約:
【課題】断熱材料の断熱性能が劣化することを抑制可能な炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶10の製造装置100は、坩堝1を用いて炭化珪素原料17を昇華させ、昇華させた原料ガスを種結晶11上に再結晶させるように構成された炭化珪素単結晶10の製造装置であって、断熱部材2を備えている。断熱部材2は、坩堝1の周囲を囲うように設けられている。断熱部材2は、第1の断熱部2aと、第1の断熱部2aから分離可能に構成された第2の断熱部2bとを含む。第2の断熱部2bは、交換可能に構成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
坩堝を用いて炭化珪素原料を昇華させ、昇華させた原料ガスを種結晶上に再結晶させるように構成された炭化珪素単結晶の製造装置であって、 坩堝の周囲を囲うように設けられた断熱部材を備え、 断熱部材は、第1の断熱部と、第1の断熱部から分離可能に構成された第2の断熱部とを含み、 第2の断熱部は、交換可能に構成されている、炭化珪素単結晶の製造装置。
IPC (1件):
C30B 29/36
FI (1件):
C30B29/36 A
Fターム (9件):
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077EG16 ,  4G077EG18 ,  4G077EG19 ,  4G077EG25 ,  4G077SA04 ,  4G077SA11

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