特許
J-GLOBAL ID:201503018057263597
多層セラミック基板およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
特許業務法人明成国際特許事務所
, 石川 崇朗
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-130353
公開番号(公開出願番号):特開2015-005640
出願日: 2013年06月21日
公開日(公表日): 2015年01月08日
要約:
【課題】多層セラミック基板において焼成時の反りを抑制する。【解決手段】多層セラミック基板は、積層された複数の絶縁層と;複数の絶縁層における少なくとも1つの第1の層間と、複数の絶縁層の外表面のうち複数の絶縁層が積層された積層方向を向いた外表面との少なくとも一方に設けられ、配線を形成する少なくとも1つの配線層と;少なくとも1つの貫通導体と;配線層の材料よりも高い焼成収縮率を有する材料を焼成して成り、複数の絶縁層における層間のうち配線層が設けられた第1の層間とは異なる第2の層間に設けられ、配線層および貫通導体から電気的に絶縁されたダミー層とを備える。ダミー層は、多層セラミック基板を積層方向の厚みを基準に2等分した2つの領域のうち、各領域における配線層の体積の合計が小さい方の領域に存在する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
絶縁性セラミックから成り、積層された複数の絶縁層と、
前記複数の絶縁層における少なくとも1つの第1の層間と、前記複数の絶縁層の外表面のうち前記複数の絶縁層が積層された積層方向を向いた外表面との少なくとも一方に設けられ、導電性を有し、配線を形成する少なくとも1つの配線層と、
導電性を有し、少なくとも1つの前記配線層と電気的に接続され、少なくとも1つの前記絶縁層を貫通する少なくとも1つの貫通導体と
を備える多層セラミック基板であって、
さらに、前記配線層の材料よりも高い焼成収縮率を有する材料を焼成して成り、前記複数の絶縁層における層間のうち前記配線層が設けられた前記第1の層間とは異なる第2の層間に設けられ、前記配線層および前記貫通導体から電気的に絶縁されたダミー層を備え、
前記ダミー層は、前記多層セラミック基板を前記積層方向の厚みを基準に2等分した2つの領域のうち、各領域における前記配線層の体積の合計が小さい方の領域に存在することを特徴とする多層セラミック基板。
IPC (1件):
FI (2件):
Fターム (36件):
5E316AA24
, 5E316AA32
, 5E316AA35
, 5E316AA43
, 5E316BB20
, 5E316CC02
, 5E316CC18
, 5E316CC39
, 5E316DD02
, 5E316DD13
, 5E316EE21
, 5E316FF18
, 5E316FF28
, 5E316GG03
, 5E316HH11
, 5E316HH22
, 5E316HH24
, 5E316HH25
, 5E346AA24
, 5E346AA32
, 5E346AA35
, 5E346AA43
, 5E346BB20
, 5E346CC02
, 5E346CC18
, 5E346CC39
, 5E346DD02
, 5E346DD13
, 5E346EE21
, 5E346FF18
, 5E346FF28
, 5E346GG03
, 5E346HH11
, 5E346HH22
, 5E346HH24
, 5E346HH25
引用特許:
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