特許
J-GLOBAL ID:201503018104254624
蓄電デバイスの負極材料
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
岡 憲吾
, 住友 教郎
, 室橋 克義
, 笠川 寛
, 染矢 啓
, 今村 由賀里
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-050624
公開番号(公開出願番号):特開2015-176676
出願日: 2014年03月13日
公開日(公表日): 2015年10月05日
要約:
【課題】諸性能に優れた蓄電デバイスの提供。【解決手段】蓄電デバイスの負極12は、集電体18と、この集電体18の表面に固着された多数の粒子22とを備えている。この粒子22は、Si系合金からなる。この合金は、Cr、Al、Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、C、B、P、Ag、Zn、In、Ga、Ge、Pb、Bi、S及びSeからなる群から選択される2以上の元素を含んでおり、残部がSi及び不可避的不純物である。この合金は、Crを含む。比(Cr%/(Cr%+Ti%+Al%+Sn%+TCF%+TNF%))は、0.05以上である。この合金は、Al及び/又はSnを含む。比((Al%+Sn%)/(Cr%+Ti%+Al%+Sn%+TCF%+TNF%))は、0.002以上0.400以下である。【選択図】図2
請求項(抜粋):
Si系合金からなり、
上記合金が、Cr、Al、Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、C、B、P、Ag、Zn、In、Ga、Ge、Pb、Bi、S及びSeからなる群から選択される2以上の元素を含んでおり、残部がSi及び不可避的不純物であり、
TCF(%)が下記数式(I)で定義され、TNF(%)が下記数式(II)で定義されるとき、上記合金が、下記数式(1)から(6)を満たす蓄電デバイスの負極材料。
(I)TCF%=Zr%+Hf%+V%+Nb%+Ta%+Mo%+W%+Mn%+Fe%+Co%+Ni%/2+Cu%/3
(II)TNF%=C%+B%+P%+Ag%+Zn%+In%+Ga%+Ge%+Pb%+Bi%+S%+Se%
(1)25%<Cr%+Ti%+Al%+Sn%+TCF%+TNF%≦40%
(2)0.05≦Cr%/(Cr%+Ti%+Al%+Sn%+TCF%+TNF%)
(3)0.002≦(Al%+Sn%)/(Cr%+Ti%+Al%+Sn%+TCF%+TNF%)≦0.400
(4)4.8×(Cr%+Ti%+TCF%)+(Al%+Sn%+TNF%)≦135%
(5)TCF%<10%
(6)TNF%≦5%
IPC (9件):
H01M 4/38
, C22C 14/00
, C22C 13/00
, C22C 27/06
, B22F 9/08
, B22F 9/10
, H01M 4/66
, H01M 4/134
, H01G 11/50
FI (10件):
H01M4/38 Z
, C22C14/00
, C22C13/00
, C22C27/06
, B22F9/08 A
, B22F9/08 C
, B22F9/10
, H01M4/66 A
, H01M4/134
, H01G11/50
Fターム (48件):
4K017AA04
, 4K017BA01
, 4K017BA04
, 4K017BA10
, 4K017BB01
, 4K017BB03
, 4K017BB04
, 4K017BB05
, 4K017BB06
, 4K017BB07
, 4K017BB09
, 4K017BB14
, 4K017BB15
, 4K017CA01
, 4K017DA01
, 4K017EA03
, 4K017EA04
, 4K017ED02
, 4K017EE02
, 4K017EK01
, 5E078AA01
, 5E078AA05
, 5E078AB06
, 5E078BA26
, 5E078BA30
, 5H017AA03
, 5H017AS10
, 5H017BB11
, 5H017CC01
, 5H017DD05
, 5H017EE01
, 5H017HH01
, 5H050AA07
, 5H050AA08
, 5H050BA17
, 5H050CA17
, 5H050CB11
, 5H050CB13
, 5H050CB15
, 5H050DA03
, 5H050DA04
, 5H050GA02
, 5H050GA05
, 5H050GA10
, 5H050GA27
, 5H050HA02
, 5H050HA14
, 5H050HA20
引用特許: