特許

J-GLOBAL ID：201503018175012788

回路基板

発明者： クリストファー デニス シモーネ ,  ジー.シドニー コックス ,  カール ロバート ヘーガー ,  リチャード エー.ヴェッセル
出願人/特許権者： イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-518592
公開番号（公開出願番号）：特表2015-521801
出願日： 2013年06月21日
公開日（公表日）： 2015年07月30日
要約：

本開示は、80〜90モル%の3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、10〜20モル%の4,4’-オキシジフタル酸無水物および100モル%の2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、または100モル%の3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2'-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンおよび10〜80モル%の4,4'-オキシジアニリンから誘導される第1のポリイミドカバーレイおよび第2のポリイミドカバーレイ、第1の像形成された金属層、第1の電気絶縁層、第2の像形成された金属層、80〜90モル%の3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、10〜20モル%の4,4’-オキシジフタル酸無水物および100モル%の2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンから誘導されるポリイミドを有するポリイミドボンドプライ、第3の像形成された金属層、第2の電気絶縁層、第4の像形成された金属層を有する回路基板に関する。

請求項（抜粋）：

以下の順序で、 a.i)80〜90モル%の3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、10〜20モル%の4,4’-オキシジフタル酸無水物、および100モル%の2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、または ii)100モル%の3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、および10〜80モル%の4,4’-オキシジアニリン から誘導されるポリイミドを含む第1のポリイミドカバーレイ、 b.第1の像形成された金属層、 c.第1面と、第2面とを有する第1の電気絶縁層であって、前記第1の電気絶縁層の前記第1面は、前記第1の像形成された金属層に接する、第1の電気絶縁層、 d.第2の像形成された金属層であって、前記第1の電気絶縁層の前記第2面は、前記第2の像形成された金属層に接する、第2の像形成された金属層、 e.80〜90モル%の3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、10〜20モル%の4,4’-オキシジフタル酸無水物、および100モル%の2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンから誘導されるポリイミドを含むポリイミドボンドプライ、 f.第3の像形成された金属層、 g.第1面と、第2面とを有する第2の電気絶縁層であって、前記第2の電気絶縁層の前記第1面は、前記第3の像形成された金属層に接する、第2の電気絶縁層、 h.第4の像形成された金属層であって、前記第2の電気絶縁層の前記第2面は、前記第4の像形成された金属層に接する、第4の像形成された金属層、ならびに i.i)80〜90モル%の3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、10〜20モル%の4,4’-オキシジフタル酸無水物、および100モル%の2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、または ii)100モル%の3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、20〜90モル%の2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、および10〜80モル%の4,4’-オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含む第2のポリイミドカバーレイ を含む回路基板であって、 前記ポリイミドボンドプライが、前記第2の像形成された金属層および前記第1の電気絶縁層の前記第2面の露出した領域に直接接触し、かつ前記第3の像形成された金属層および前記第2の電気絶縁層の前記第1面の露出した領域に直接接触し、 340°C以上の積層温度および150psi(10.55kg/cm2)〜400psi(28.13kg/cm2)の圧力において、 i)前記第1の像形成された金属層、前記第1の電気絶縁層および前記第2の像形成された金属層、 ii)前記ポリイミドボンドプライ、ならびに iii)前記第3の像形成された金属層、前記第2の電気絶縁層および前記第4の像形成された金属層 が積層される際に、前記ポリイミドボンドプライが、IPC-TM-650-2.4.9dに従って測定される0.7〜2N/mmの剥離強度を有し、 前記第1のポリイミドカバーレイが、前記第1の像形成された金属層および前記第1の電気絶縁層の前記第1面の露出した領域に直接接触し、前記第2のポリイミドカバーレイが、前記第4の像形成された金属層および前記第2の電気絶縁層の前記第2面の露出した領域に直接接触し、かつ前記第1の電気絶縁層および前記第2の電気絶縁層が350°C以上の前記積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である ことを特徴とする回路基板。

IPC (4件)：

H05K 1/03 ,  H05K 1/02 ,  H05K 3/28 ,  C08G 73/10

FI (5件)：

H05K1/03 610N ,  H05K1/03 670A ,  H05K1/02 B ,  H05K3/28 C ,  C08G73/10

Fターム (24件)：

4J043PA02 ,  4J043PA04 ,  4J043PC145 ,  4J043RA35 ,  4J043SA06 ,  4J043SB03 ,  4J043TA22 ,  4J043TB01 ,  4J043UA131 ,  4J043UA132 ,  4J043UB121 ,  4J043VA021 ,  4J043VA022 ,  4J043VA062 ,  4J043XA16 ,  4J043ZB50 ,  5E314AA36 ,  5E314CC01 ,  5E314FF06 ,  5E314GG11 ,  5E338AA12 ,  5E338AA16 ,  5E338BB51 ,  5E338EE21