特許
J-GLOBAL ID：201503018234992090
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-111339
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239560
特許番号：特許第5803803号
出願日： 2012年05月15日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基材(10)と、前記基材上に接着剤(20)を介して搭載されて固定されたシリコン半導体よりなるシリコンチップ(30)と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記基材、前記シリコンチップ、および前記接着剤を用意する用意工程と、
前記基材上に、前記接着剤を介して前記シリコンチップを搭載するチップ搭載工程と、
前記シリコンチップを透過する赤外波長を有するレーザ光(L)を、前記シリコンチップ上から照射して前記シリコンチップを透過させることにより、前記接着剤を前記レーザ光で直接加熱して硬化するレーザ加熱工程と、を有し、
前記レーザ加熱工程では、前記硬化した前記接着剤に、さらに前記レーザ光を照射して当該接着剤の一部を焼失させることにより、前記接着剤の形状を整形することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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