特許
J-GLOBAL ID：201503018239182119
パワーモジュール用基板、およびその製造方法、パワーモジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
志賀 正武
, 寺本 光生
, 松沼 泰史
, 細川 文広
, 大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-259202
公開番号（公開出願番号）：特開2015-144264
出願日： 2014年12月22日
公開日（公表日）： 2015年08月06日
要約：
【課題】回路層上に形成されたAg焼成層を介して接合される半導体素子と、回路層との間の電気抵抗値を低減することが可能なパワーモジュール用基板およびその製造方法、パワーモジュールを提供する。【解決手段】Ag層32と、Ag層32の周囲に広がる回路層の露呈部分とを結ぶように、細長い溝35が形成されている。溝35は、Ag層32の表面から、ガラス層31およびアルミニウム酸化皮膜12Aを貫通して回路層12の表面12aに達する細長い凹部である。溝35には、溝35の内面35aに沿って、Ag層32の一部が展延された延長部36が形成されている。延長部36によって、溝35の形成部分において、Ag層32と回路層12とは、電気抵抗値の低いAgで、直接、電気的に接続される。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
絶縁層の一方の面に形成された回路層と、該回路層上に形成されたAg焼成層とを備えたパワーモジュール用基板であって、
前記Ag焼成層は、ガラス層と、このガラス層上に形成されたAg層とからなり、
前記Ag層と、前記回路層とを結ぶ溝が形成され、
前記Ag層は、前記溝の内面に沿って、前記回路層まで延びる延長部を有し、
前記延長部は、前記Ag層と前記回路層とを電気的に接続することを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (3件)：
H01L 23/36
, H01L 23/40
, H01L 23/12
H01L23/36 C
, H01L23/40 F
, H01L23/12 F
5F136BB04
, 5F136BC02
, 5F136CB06
, 5F136DA27
, 5F136EA13
, 5F136FA02
, 5F136FA14
, 5F136FA16
, 5F136FA18
, 5F136FA81
, 5F136GA02
