特許

J-GLOBAL ID：201503018334441163

超伝導回路用の低温抵抗体

発明者： ジョン ジェイ タルバッチオ ,  エリカ シー フォーク ,  ショーン アール マクローリン ,  デービッド ジェイ フィリップス
出願人/特許権者： ノースロップ グルマン システムズ コーポレーション
代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  福尾 誠 ,  君塚 絵美
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-549171
公開番号（公開出願番号）：特表2015-506110
出願日： 2012年12月17日
公開日（公表日）： 2015年02月26日
要約：

集積回路及び該回路を作成する方法が提供される。集積回路は、100ミリケルビン未満の温度で超伝導性である材料から形成される回路素子と、該回路素子に接続される少なくとも1つの抵抗体とを一体化する。抵抗体は100ミリケルビン未満の温度で抵抗性である遷移金属の合金から形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

100ミリケルビン未満の温度で超伝導性である材料から形成された回路素子と、 前記回路素子に接続され、100ミリケルビン未満の温度で抵抗性である遷移金属の合金から形成された抵抗体と、 を備えている集積回路。

IPC (4件)：

H01L 27/18 ,  H01L 39/22 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

H01L27/18 ,  H01L39/22 A ,  H01L27/04 P

Fターム (11件)：

4M113AA00 ,  4M113AC44 ,  4M113AD01 ,  4M113BC04 ,  4M113CA12 ,  4M113CA13 ,  5F038AR07 ,  5F038CD12 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 超伝導集積回路の製造方法及び超伝導集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-216920   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-246871
  
• 超伝導集積回路用金属薄膜抵抗
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-334489   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-026132   出願人：新日本製鐵株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開平4-246871
  
• 超伝導集積回路用金属薄膜抵抗
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-334489   出願人：日本電気株式会社