特許

J-GLOBAL ID：201503018435034208

太陽電池の製造方法

発明者： 熊谷 晃
出願人/特許権者： 株式会社ジェイ・イー・ティ
代理人 (3件)： 吉田 正義 ,  今枝 弘充 ,  梅村 裕明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-185543
公開番号（公開出願番号）：特開2015-053398
出願日： 2013年09月06日
公開日（公表日）： 2015年03月19日
要約：

【課題】シリコン基板表面にテクスチャをより均一に形成することができる太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】金属イオン5を用いたエッチングによりシリコン基板2の表面に多孔質層3を形成する太陽電池1の製造方法において、強酸及び金属イオン5を含有する第1の水溶液に前記シリコン基板2を浸漬し、無電解めっきにより前記金属イオン5を前記シリコン基板2表面に付着させるステップと、フッ化水素酸と過酸化水素水とを含有する第2の水溶液に、前記金属イオン5を表面に付着させた前記シリコン基板2を浸漬し、前記金属イオン5の触媒反応により前記シリコン基板2表面に前記多孔質層3を形成するステップとを備えることを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

金属イオンを用いたエッチングによりシリコン基板の表面に多孔質層を形成する太陽電池の製造方法において、 強酸及び金属イオンを含有する第1の水溶液に前記シリコン基板を浸漬し、無電解めっきにより前記金属イオンを前記シリコン基板表面に付着させるステップと、 フッ化水素酸と過酸化水素水とを含有する第2の水溶液に、前記金属イオンを表面に付着させた前記シリコン基板を浸漬し、前記金属イオンの触媒反応により前記シリコン基板表面に前記多孔質層を形成するステップと を備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/306 ,  C23F 1/24

FI (3件)：

H01L31/04 H ,  H01L21/306 B ,  C23F1/24

Fターム (17件)：

4K057WA05 ,  4K057WB06 ,  4K057WC06 ,  4K057WE07 ,  4K057WE25 ,  4K057WG03 ,  4K057WN01 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043BB03 ,  5F043DD30 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F151CB21 ,  5F151CB30 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15