特許

J-GLOBAL ID：201503018448890189

ボンディングワイヤ劣化検出装置及びボンディングワイヤ劣化検出方法

発明者： 孝井 健一
出願人/特許権者： カルソニックカンセイ株式会社
代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  高橋 俊一 ,  伊藤 正和 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-254932
公開番号（公開出願番号）：特開2015-114149
出願日： 2013年12月10日
公開日（公表日）： 2015年06月22日
要約：

【課題】正常時の電圧と劣化時の電圧との間の変動幅を大きくして容易にボンディングワイヤの劣化を検出する。【解決手段】本発明のボンディングワイヤ劣化検出装置1は、基板3のエミッタ電極Ebとチップ5のエミッタ電極Eとを接続するエミッタ信号用ボンディングワイヤ7Tを検査用電極Tに接続し、チップ5のケルビンエミッタ電極KEを基板3のケルビンエミッタ電極KEbに接続し、ケルビンエミッタ電極KEbと検査用電極Tとの間の電圧を検出してエミッタ信号用ボンディングワイヤ7の劣化を検出する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板(3)と前記基板(3)上に実装された半導体素子(5)とを接続するボンディングワイヤの劣化を検出するボンディングワイヤ劣化検出装置(1)において、 前記基板(3)のエミッタ電極(Eb)と前記半導体素子(5)のエミッタ電極(E)とを接続するエミッタ信号用ボンディングワイヤ(7T)を、前記半導体素子(5)のエミッタ電極(E)から前記基板(3)のエミッタ電極(Eb)とは反対方向に延長して接続された検査用電極(T)と、 前記半導体素子(5)のケルビンエミッタ電極(KE)に接続された前記基板(3)のケルビンエミッタ電極(KEb)と前記検査用電極(T)との間の電圧を検出する電圧検出手段(11)と、 前記電圧検出手段(11)によって検出された前記基板(3)のケルビンエミッタ電極(KEb)と前記検査用電極(T)との間の電圧を監視して、前記エミッタ信号用ボンディングワイヤ(7T)の劣化を検出する劣化検出手段(13)と を備えたことを特徴とするボンディングワイヤ劣化検出装置。

IPC (1件)：

G01R 31/26

FI (1件)：

G01R31/26 A

Fターム (5件)：

2G003AA01 ,  2G003AC09 ,  2G003AD06 ,  2G003AF06 ,  2G003AH10