特許

J-GLOBAL ID：201503018498233708

基板処理装置および半導体装置の製造方法

発明者： 南 嘉一郎 ,  小川 雲龍 ,  赤尾 徳信 ,  八島 伸二 ,  梅川 純史 ,  奥野 正久 ,  定田 拓也
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013055961
公開番号（公開出願番号）：WO2013-146118
出願日： 2013年03月05日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：

基板を支持する基板支持部を有する処理空間と、前記処理空間にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記処理空間に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記処理空間からガスを排出するガス排出部と、前記処理空間のガスの酸素濃度を検出する酸素濃度検出部と、前記基板支持部に基板が支持された状態で、前記酸素濃度検出部が検出した前記処理空間のガスの酸素濃度が閾値以下である場合に、前記マイクロ波供給部から前記処理空間にマイクロ波を供給するよう制御する制御部と、を備えるように基板処理装置を構成する。

請求項（抜粋）：

基板を支持する基板支持部を有する処理空間と、 前記処理空間にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、 前記処理空間に不活性ガスを供給するガス供給部と、 前記処理空間からガスを排出するガス排出部と、 前記処理空間のガスの酸素濃度を検出する酸素濃度検出部と、 前記基板支持部に基板が支持された状態で、前記酸素濃度検出部が検出した前記処理空間のガスの酸素濃度が閾値以下である場合に、前記マイクロ波供給部から前記処理空間にマイクロ波を供給するよう制御する制御部と、を備える基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H05B 6/68

FI (4件)：

H01L21/316 P ,  H01L21/31 E ,  H01L29/78 301G ,  H05B6/68 320B

Fターム (21件)：

3K086CA07 ,  3K086CB20 ,  5F045AA20 ,  5F045AB31 ,  5F045AC15 ,  5F045BB17 ,  5F045EE14 ,  5F045GB02 ,  5F045GB07 ,  5F058BA04 ,  5F058BC03 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BD11 ,  5F140BE17