特許
J-GLOBAL ID：201503018654592895

薄膜とその調製プロセス

発明者：
アガーウァル ウダイ

アガーウァル ウダイ について

, 
パティル スワナンド

パティル スワナンド について


出願人/特許権者：
リライアンス、インダストリーズ、リミテッド

リライアンス、インダストリーズ、リミテッド について


代理人 (2件)： 二口 治 ,  原谷 英之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-537814
公開番号（公開出願番号）：特表2015-502857
出願日： 2012年10月23日
公開日（公表日）： 2015年01月29日
要約：
薄膜の完全性が保持されるように、5ミクロンを超えない値の予め定めた厚みの少なくとも1枚の層を持つ薄膜を調製するプロセスが提供される。当該薄膜を調製するためのプロセスには、少なくとも1枚のシートを圧延するステップが含まれる。 圧延のプロセスは、予め定めた厚みを持つ基盤上に少なくとも1枚のシートを積み重ねるステップによって先行される。積み重ねるプロセスにはなるべく、少なくとも1枚のシートを基盤に接着するステップを含める。シートは金属、合金あるいはこれらの組み合わせで、金属と合金はグループ IB、 IIB、IIIA、IVA、IVB、VBおよびVIBの中から選んだ金属である。
請求項（抜粋）：
薄膜を調製するためのプロセス、 前述のプロセスには以下が含まれる: 予め定めた5ミクロンを超えない厚みの少なくとも1枚の層を持ち、薄膜の完全性が維持されている前述の薄膜を取得するための金属加工、 前述のシートは、金属、合金もしくはこれらの組み合わせのシートで、当該金属はIB、IIB, IIIA、IV, IVB、VBおよびVIBからなるグループの中から選ばれる。
IPC (4件)：
B21B 1/40 ,  H01L 31/072 ,  H01L 31/074 ,  B32B 15/01
FI (4件)：
B21B1/40 ,  H01L31/06 400 ,  H01L31/06 460 ,  B32B15/01 K
Fターム (22件)：
4E002AA08 ,  4E002AD12 ,  4E002AD13 ,  4E002BC05 ,  4E002CA08 ,  4E002CB08 ,  4F100AB01B ,  4F100AB10 ,  4F100AB17 ,  4F100AB31B ,  4F100AB33 ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100GB48 ,  4F100JL02 ,  4F100YY00B ,  5F151AA07 ,  5F151AA10 ,  5F151CB11
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 太陽電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-249104   出願人：富士フイルム株式会社
  • タンデム型薄膜太陽電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-138128   出願人：株式会社日立製作所

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