特許

J-GLOBAL ID：201503018699530092

半導体装置及びその製造方法

発明者： 清澤 努 ,  工藤 千秋 ,  富田 祐貴
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人前田特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013000317
公開番号（公開出願番号）：WO2013-118437
出願日： 2013年01月23日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：

半導体装置の製造方法は、基板の主面に、第1導電型の第1の半導体領域を有する半導体層を形成する工程と、半導体層に、底部が第1の半導体領域内に位置するトレンチを形成する工程とを含む。当該製造方法は更に、アニール処理により、トレンチの上部コーナー部の半導体層の一部をトレンチの底部上に移動させることで、トレンチの底部を覆う第2導電型のトレンチボトム不純物領域を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

基板の主面に、第1導電型の第1の半導体領域を有する半導体層を形成する工程と、 前記半導体層に、底部が前記第1の半導体領域内に位置するトレンチを形成する工程と、 アニール処理により、前記トレンチの上部コーナー部の前記半導体層の一部を前記トレンチの底部上に移動させることで、前記トレンチの底部を覆う第2導電型のトレンチボトム不純物領域を形成する工程とを含む、半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/22

FI (11件)：

H01L29/78 652J ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 652B ,  H01L29/91 A ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 K ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 V

Fターム (6件)：

5F152LL02 ,  5F152MM04 ,  5F152MM07 ,  5F152NN05 ,  5F152NN27 ,  5F152NQ02