温度センサ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦秀幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-081108
公開番号（公開出願番号）：特開2013-210303
特許番号：特許第5796720号
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】絶縁性基材と、該絶縁性基材上に互いに対向した一対の対向電極部を有して形成された一対のパターン電極と、前記絶縁性基材上に一対の前記対向電極部を覆って形成された薄膜サーミスタ部とを備え、該薄膜サーミスタ部が、前記対向電極部の膜厚以上の膜厚であると共にTiAlNのサーミスタ材料で形成された第1サーミスタ層と、該第1サーミスタ層上に積層され前記第1サーミスタ層よりも膜密度の高いTiAlNのサーミスタ材料で形成された第2サーミスタ層とを有していることを特徴とする温度センサ。

IPC (2件)：