積層型セラミック電子部品

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-215625
公開番号（公開出願番号）：特開2015-156470
出願日： 2014年10月22日
公開日（公表日）： 2015年08月27日
要約：

【課題】0.5μm以下の誘電体セラミック層を有する積層型セラミック電子部品の絶縁不良を改善する。【解決手段】ABO3(但し、Aサイトは少なくともBaを含み、Bサイトは少なくともTiを含むペロブスカイト型結晶を表す。)を主成分とする第1のセラミック部分と内部電極層とが交互に形成された積層構造を有する積層体であり、前記内部電極と接続する外部電極を有する積層型セラミック電子部品であって、前記外部電極と接続する内部電極層の一端を除いた端縁部分は、第2のセラミック部分と接し、前記第2のセラミック部分は、酸化アルミニウムを主成分として含むことを特徴とする積層型セラミック電子部品。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ABO3(但し、Aサイトは少なくともBaを含み、Bサイトは少なくともTiを含むペロブスカイト型結晶を表す。)を主成分とする第1のセラミック部分と内部電極層とが交互に形成された積層構造を有する積層体であり、前記内部電極と接続する外部電極を有する積層型セラミック電子部品であって、前記外部電極と接続する内部電極層の一端を除いた端縁部分は、第2のセラミック部分と接し、前記第2のセラミック部分は、酸化アルミニウムを主成分として含むことを特徴とする積層型セラミック電子部品。

IPC (2件)：

H01G 4/30 , H01G 4/12

FI (3件)：

H01G4/30 301E , H01G4/12 349 , H01G4/12 358

Fターム (21件)：

5E001AB03 , 5E001AC09 , 5E001AD02 , 5E001AD03 , 5E001AE02 , 5E001AE03 , 5E001AH01 , 5E001AJ02 , 5E082AA01 , 5E082AB03 , 5E082BC35 , 5E082BC39 , 5E082EE04 , 5E082EE23 , 5E082EE35 , 5E082FF05 , 5E082FG04 , 5E082FG26 , 5E082FG46 , 5E082FG60 , 5E082PP03

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