成膜装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：渡辺望稔 , 三和晴子 , 伊東秀明 , 三橋史生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-078710
公開番号（公開出願番号）：特開2013-209679
特許番号：特許第5795745号
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、CCP-CVDによって基板に成膜を行う成膜装置であって、原料ガスを供給するためのガス供給孔を有し、かつ、電極として機能する、プラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記基板との間に間隙を有する状態で前記プラズマ生成手段と基板との間を囲み、かつ、間隙を有して前記プラズマ生成手段を囲む筒状で、前記プラズマ生成手段との間隙が原料ガスの排気経路として作用する、前記プラズマ生成手段と基板との間に原料ガスを封じ込め、かつ、前記プラズマ生成手段と基板との間から外部への原料ガスの流れ制御するガス流制御部材と、前記ガス流制御部材の温度および位置の少なくとも一方を検出する検出手段と、前記検出手段による検出結果に応じて、原料ガスの供給量および原料ガスの排気能力の、少なくとも一方を制御する制御手段とを有することを特徴とする成膜装置。

IPC (2件)：

C23C 16/52 ( 200 6.01) , H01L 21/31 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C23C 16/52 , H01L 21/31 C

引用特許：

出願人引用 (6件)

プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-242205 出願人：ソニー株式会社
特開平4-009474
プラズマCVD成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-064925 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (6件)

プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-242205 出願人：ソニー株式会社
特開平4-009474
プラズマCVD成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-064925 出願人：松下電器産業株式会社

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