薄膜トランジスタ装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-026391
公開番号（公開出願番号）：特開2015-153902
出願日： 2014年02月14日
公開日（公表日）： 2015年08月24日
要約：

【課題】薄膜トランジスタの半導体チャンネル層の特性を劣化させずに、光反射率の低いチャンネル遮光層を形成する。【解決手段】基板上に、ゲート電極と、前記基板の面上と前記ゲート電極の面上を覆うゲート絶縁層と、その上にIn-Ga-Zn-Oから成る半導体の半導体チャンネル層と、その上のチャンネル保護層と、ソース電極及びドレイン電極と、前記チャンネル保護層を覆う、RがLa又はNd又はそれらの固溶すなわちR=La1-yNdyであるR1-xSrxMnO3の化学式であらわされ、Srの割合xが0.2以上0.5以下の、ペロブスカイト型酸化物のチャンネル遮光層と、その上層に設けられたパッシベーション用保護層とを備えた薄膜トランジスタ装置を製造する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に設けられたゲート電極と、前記基板の面上と前記ゲート電極の面上を覆うゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられたIn-Ga-Zn-Oから成る半導体の半導体チャンネル層と、前記半導体チャンネル層上に設けられたチャンネル保護層と、前記半導体チャンネル層上に電気接続して形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記チャンネル保護層を覆い、RがLa又はNd又はそれらの固溶すなわちR=La1-yNdyであるR1-xSrxMnO3の化学式であらわされ、Srの割合xが0.2以上0.5以下の、ペロブスカイト型酸化物のチャンネル遮光層と、前記ソース電極及びドレイン電極の上層に設けられたパッシベーション用保護層とを備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , G09F 9/30

FI (4件)：

H01L29/78 619B , H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , G09F9/30 338

Fターム (84件)：

5C094AA21 , 5C094AA44 , 5C094AA60 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094BA75 , 5C094ED15 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5C094HA05 , 5C094HA08 , 5C094JA01 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB20 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD18 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF33 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG41 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN45 , 5F110NN50 , 5F110NN52

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