特許

J-GLOBAL ID：201503019130508517

半導体チップ試験装置、半導体チップ試験方法および半導体チップ試験装置用のステージ

発明者： 植田 淑之 ,  酒井 忠之 ,  中西 学
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-002459
公開番号（公開出願番号）：特開2015-132476
出願日： 2014年01月09日
公開日（公表日）： 2015年07月23日
要約：

【課題】半導体チップへ損傷を与えず、半導体チップの電気的特性を正確に測定可能な半導体チップ試験装置および半導体チップ試験方法を提供する。【解決手段】半導体チップ試験装置100は、表面と裏面の両方に電極が形成された半導体チップに通電して当該チップの電気的特性を測定する。装置100のステージ10は、チップ1を支持するチップ支持部と、チップ支持部の周囲に平面視でチップの外周部と重なるように設けられた溝部とを含む。ステージ10は、チップ支持部および溝部に設けられた複数の貫通孔を有する。当該複数の貫通孔は、排気孔または吸気孔として機能させる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

表面と裏面の両方に電極が形成された半導体チップに通電して該半導体チップの電気的特性を測定する半導体チップ試験装置であって、 前記半導体チップの表面に形成された電極に接触するプローブと、 前記半導体チップを支持するチップ支持部と、該チップ支持部の周囲に、平面視で前記半導体チップの外周部と重なるように設けられた溝部とを含むステージとを備え、 前記ステージは、前記チップ支持部および前記溝部に設けられた複数の貫通孔を有することを特徴とする、半導体チップ試験装置。

IPC (1件)：

G01R 31/26

FI (2件)：

G01R31/26 Z ,  G01R31/26 J

Fターム (9件)：

2G003AA01 ,  2G003AA02 ,  2G003AE09 ,  2G003AF01 ,  2G003AG03 ,  2G003AG11 ,  2G003AG12 ,  2G003AH05 ,  2G003AH07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体試験治具及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-191466   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の位置決め装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-045687   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置テスト治具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-088053   出願人：シャープ株式会社