特許

J-GLOBAL ID：201503019441934609

パルス波形測定機能を有するレーザアニール装置

発明者： 太田 佑三郎
出願人/特許権者： 株式会社日本製鋼所
代理人 (1件)： 横井 幸喜
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-120487
公開番号（公開出願番号）：特開2013-247266
特許番号：特許第5829575号
出願日： 2012年05月28日
公開日（公表日）： 2013年12月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 パルスレーザ光(L)を被処理基板(B)の表面に照射するレーザアニール装置において、前記パルスレーザ光(L)を受光しその受光強度データ(I)を出力する受光手段(2)と、前記受光強度データ(I)から複数個のパルスにおける平均ピーク値と平均面積値とを少なくとも項目値として含む平均波形情報を取得する平均波形情報取得手段(3)と、複数の前記平均波形情報における各項目値の平均値とバラツキと最大値と最小値とを少なくとも項目値として含む群波形情報を取得する群波形情報取得手段(3)と、前記群波形情報を出力する出力手段(10)とを具備したことを特徴とするパルス波形測定機能を有するレーザアニール装置(100)。

IPC (3件)：

H01L 21/268 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01S 3/00 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/268 T ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/00 B ,  H01S 3/00 G

引用特許：

出願人引用 (3件)

• レーザ照射装置、及びレーザ照射方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-156877   出願人：住友重機械工業株式会社
• パルスガスレーザ発振装置、レーザアニール装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-164586   出願人：株式会社東芝
• レーザアニール処理装置、レーザアニール処理体の製造方法およびレーザアニール処理プログラム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-109693   出願人：株式会社日本製鋼所