特許

J-GLOBAL ID：201503019647950309

静電容量型トランスデューサ及びその製造方法

発明者： 王 詩男 ,  渡辺 信一郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-273672
公開番号（公開出願番号）：特開2015-128271
出願日： 2013年12月28日
公開日（公表日）： 2015年07月09日
要約：

【課題】貫通配線と基板との間の熱膨張係数差による振動膜側の基板面上の膜ダメージを低減することができる静電容量型トランスデューサ、その製造方法などを提供する。【解決手段】静電容量型トランスデューサは、第1面1a側から第2面1b側まで貫通する貫通配線2を有する基板1の第1面上に、第1の電極4と、第1の電極と間隙5を隔てて形成された第2の電極6を含む振動膜9と、を備えたセルを有する。基板の第1面側において、貫通配線2の終端を押える押え部材3が設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1面側から第2面側まで貫通する貫通配線を有する基板の前記第1面上に、第1の電極と、前記第1の電極と間隙を隔てて形成された第2の電極を含む振動膜と、を備えたセルを有する静電容量型トランスデューサの作製方法であって、 前記貫通配線を有する基板の前記第1面側において、前記貫通配線の終端を押える押え部材を形成する工程と、 前記押え部材を形成する工程の後に、前記セルを形成する工程と、 を備えることを特徴とする静電容量型トランスデューサの作製方法。

IPC (3件)：

H04R 19/00 ,  A61B 8/00 ,  H04R 31/00

FI (3件)：

H04R19/00 330 ,  A61B8/00 ,  H04R31/00 330

Fターム (10件)：

4C601DE16 ,  4C601EE10 ,  4C601GB19 ,  4C601GB20 ,  4C601GB41 ,  5D019AA26 ,  5D019DD01 ,  5D019FF04 ,  5D019HH01 ,  5D019HH02